当vGS为0时，_____（a.N沟道耗尽型b.N沟道增强型c.P沟道耗尽型d.P沟道增强型）MOS管存在导电沟道，在正的vGS电压作用下，可以有更大的漏极电流。
举一反三
- 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。[img=470x168]18030dde7a220cc.png[/img] A: N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 B: N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型 C: P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 D: P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管