晶体管(硅管)的Ube为 V。
A: 0.15
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
A: 0.15
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
D
举一反三
- 下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 二极管导通后，硅管的管压降约为_______。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
- 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.3[br][/br]V和0.7V左右。
- 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为____V和____V
内容
- 0
PN型三极管大多为硅管，其发射结的正向压降一般为（）V。 A: 0.3~0.4 B: 0.4~0.5 C: 0.6~0.7 D: 0.8~0.9
- 1
硅材料二极管的死区电压为（）V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 2
三极管处于放大时，硅管Ube=（ ）V
- 3
一般硅二极管死区电压为小于（）V。 A: 0.7 B: 0.5 C: 0.3 D: 0.1
- 4
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。 A: 0.2～0.3； B: 0.4； C: 0.6～0.7； D: 0.5。