导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。
A: 0.7、0.3
B: 0.3、0.7
C: 0.5、0.5
D: 0.5、0.2
A: 0.7、0.3
B: 0.3、0.7
C: 0.5、0.5
D: 0.5、0.2
A
举一反三
内容
- 0
硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 1
【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
- 2
硅二极管导通后，它的正向压降约为（）伏。 A: 0.2 B: 0.5 C: 0.6～0.7
- 3
硅二极管的导通电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7
- 4
二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V