常温下，硅晶体管的UBE=0.7V，且随温度升高UBE增加。（)
错
举一反三
- 常温下，硅晶体三极管的Ube=0.7V，且随温度升高Ube也增加。
- 晶体管(硅管)的Ube为 V。 A: 0.15 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 温度升高,晶体管的管压降|UBE|
- 晶体管的参数受到温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，UBE的变化情况为______。 A: β和ICBO增加，UBE减少 B: β和UBE减少，ICBO增加 C: β增加，ICBO和UBE减少 D: β，ICBO和UBE都增加
- 晶体管的参数受到温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为______。 A: β和ICBO增加，UBE减小 B: β和UBE减小，ICBO增加 C: β增加，ICBO和UBE减小 D: β、ICBO和UBE都增加
内容
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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.3[br][/br]V和0.7V左右。
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晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、、的变化情况为。 A: β增加，ICBO和UBE减小。 B: β和ICBO增加，UBE减小。 C: β和UBE减小，ICBO增加，。 D: β、ICBO和UBE都增加。
- 2
温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )。 A: 升高 B: 降低 C: 不变
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三极管处于放大时，硅管Ube=（ ）V
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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为____V和____V