电路如图所示，VDD = VSS =5V，IO = 0.2mA，Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW，FET的[img=78x18]1803a8c03bd0e93.png[/img]，且rds >>Rd，则T2漏极单端输出时的差模电压增益为 __________ 。[img=318x238]1803a8c045c666f.png[/img]
A: 8.94
B: -8.94
C: 4.47
D: -4.47
A: 8.94
B: -8.94
C: 4.47
D: -4.47
举一反三
- 在电路图示的源极耦合差分式放大电路中，VDD = VSS =5V，IO = 0.2mA，电流源输出电阻ro=100kW，Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW，FET的Kn= 1.5m[img=45x17]1803c635eadfd37.jpg[/img] A: 3.85, 77 B: 3.85, 110 C: -3.85, 77 D: -3.85, 110
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的Kn＝1mA/V2，l = 0。则场效应管的gm为 _______，电路的小信号电压增益为 _______ 。[img=213x214]1802d7cca4da94e.jpg[/img] A: 2 mA/V，-18 B: 2 mA/V，-9 C: 1 mA/V，-18 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-9
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝7.9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。T的Kn＝1mA/V2，l = 0且MOS管有合适的静态工作点。则T的gm为（ ），电路的小信号电压增益为 （ ）。[img=436x425]1802df77befd5be.png[/img] A: 2 mA/V，-15.8 B: 2 mA/V，-7.9 C: 1 mA/V，-15.8 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-7.9
- 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1[img=46x18]1802ebb4ab623f7.jpg[/img]，l = 0。则场效应管的gm » _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。[img=224x227]1802ebb4b67ecf5.jpg[/img] A: 1.42 mA/V，12.78 B: 3.02 mA/V，-27.2 C: 1.42 mA/V，-12.78 D: 3.02 mA/V，-12.78
- 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1[img=46x18]1803a89021100c3.jpg[/img]，l = 0。则场效应管的gm » _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。[img=224x227]1803a8902c5f59c.jpg[/img] A: 1.42 mA/V，12.78 B: 3.02 mA/V，-27.2 C: 1.42 mA/V，-12.78 D: 3.02 mA/V，-12.78