假设电路完全对称,且VDD=3V时,所有器件都饱和,那么Vout=() A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
假设电路完全对称,且VDD=3V时,所有器件都饱和,那么Vout=() A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
二极管基本电路如图所示,已知R = 1kΩ。当VDD =10...il=890x0&quality=100
二极管基本电路如图所示,已知R = 1kΩ。当VDD =10...il=890x0&quality=100
电路如图所示,其中+VDD=5V,Rsi = 1kW,Rg1...益的上限截止频率约为 。
电路如图所示,其中+VDD=5V,Rsi = 1kW,Rg1...益的上限截止频率约为 。
分析上题电路,VDD=5V,电路振荡频率约为_____ A: 4.55kHz B: 9.55kHz
分析上题电路,VDD=5V,电路振荡频率约为_____ A: 4.55kHz B: 9.55kHz