下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是…………………………………………( )
A: 4s电子的屏蔽常数s4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
B: 当n和Z相同时,某电子的s 值愈大,该电子的能量就愈低
C: 主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大
D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,s 值也愈大
A: 4s电子的屏蔽常数s4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
B: 当n和Z相同时,某电子的s 值愈大,该电子的能量就愈低
C: 主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大
D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,s 值也愈大
举一反三
- 下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是() A: 4s电子的屏蔽常数σ反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小 B: 当n和Z相同时,某电子的σ值愈大,该电子的能量就愈低 C: 主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大 D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,σ值也愈大
- 下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是( ) A: 4s电子的屏蔽常数反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小; B: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,其电子能量值愈高; C: 主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大; D: 当n和Z相同时,某电子的屏蔽效应数值σ愈大,该电子的能量就愈低。
- 【单选题】下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是() A. 4s 电子的屏蔽常数 反映了 4s 电子屏蔽原子核作用的大小 B. 当主量子数 n 和核电荷数 z 相同的两个电子, σ值越大,电子的能量越低 C. 主量子数n相同,角量子数l愈大,电子的屏蔽 作用增大 D. 当屏蔽电子数目愈多,或被屏蔽电子离核愈远时, σ值也愈大
- 下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是 A: 当主量子数n和核电荷数z相同的两个电子,σ值越大,电子的能量就越低 B: 同一电子层,s轨道的电子和p轨道的电子受到的屏蔽效应相等 C: 主量子数n相同,角量子数l愈大,电子受到的屏蔽作用也越大 D: 4s电子的屏蔽效应常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
- 下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是 未知类型:{'options': ['[tex=1.0x1.0]UMNZq9PeLASPAl4nG6IBrA==[/tex]电子的屏蔽常数[tex=1.286x1.0]GInOjfAiB6l3Tmlitr5E0A==[/tex]反映了[tex=1.0x1.0]KPsXl6uRbeeg5mTuJVjjNw==[/tex]电子屏蔽原子核作用的大小', '当主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]和核电荷数[tex=0.5x0.786]C7x+w8+jOPZzxFrGGne6Dw==[/tex]相同的二个电子,[tex=0.571x0.786]KMF8QHqVjNLkn7nK5uaSag==[/tex]值越大,电子的能量就越低', '主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]相同,角量子数[tex=0.357x1.0]Le5Jr6QhXJv1Yp4NjrbGVA==[/tex]愈大,电子的屏蔽作用增大', '当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,\xa0[tex=0.571x0.786]G/buLKOLYVDEKMZ76t752w==[/tex]值也愈大'], 'type': 102}