下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是…………………………………………（ ）
A: 4s电子的屏蔽常数s4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
B: 当n和Z相同时，某电子的s 值愈大，该电子的能量就愈低
C: 主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大
D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，s 值也愈大
A: 4s电子的屏蔽常数s4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
B: 当n和Z相同时，某电子的s 值愈大，该电子的能量就愈低
C: 主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大
D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，s 值也愈大
D
举一反三
- 下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（） A: 4s电子的屏蔽常数σ反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小 B: 当n和Z相同时，某电子的σ值愈大，该电子的能量就愈低 C: 主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大 D: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，σ值也愈大
- 下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（ ） A: 4s电子的屏蔽常数反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小； B: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，其电子能量值愈高； C: 主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大； D: 当n和Z相同时，某电子的屏蔽效应数值σ愈大，该电子的能量就愈低。
- 【单选题】下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是() A. 4s 电子的屏蔽常数 反映了 4s 电子屏蔽原子核作用的大小 B. 当主量子数 n 和核电荷数 z 相同的两个电子， σ值越大，电子的能量越低 C. 主量子数n相同，角量子数l愈大，电子的屏蔽 作用增大 D. 当屏蔽电子数目愈多，或被屏蔽电子离核愈远时， σ值也愈大
- 下列关于屏蔽效应的说法中，正确的是 A: 当主量子数n和核电荷数z相同的两个电子，σ值越大，电子的能量就越低 B: 同一电子层，s轨道的电子和p轨道的电子受到的屏蔽效应相等 C: 主量子数n相同，角量子数l愈大，电子受到的屏蔽作用也越大 D: 4s电子的屏蔽效应常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
- 下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是 未知类型：{'options': ['[tex=1.0x1.0]UMNZq9PeLASPAl4nG6IBrA==[/tex]电子的屏蔽常数[tex=1.286x1.0]GInOjfAiB6l3Tmlitr5E0A==[/tex]反映了[tex=1.0x1.0]KPsXl6uRbeeg5mTuJVjjNw==[/tex]电子屏蔽原子核作用的大小', '当主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]和核电荷数[tex=0.5x0.786]C7x+w8+jOPZzxFrGGne6Dw==[/tex]相同的二个电子,[tex=0.571x0.786]KMF8QHqVjNLkn7nK5uaSag==[/tex]值越大,电子的能量就越低', '主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]相同,角量子数[tex=0.357x1.0]Le5Jr6QhXJv1Yp4NjrbGVA==[/tex]愈大,电子的屏蔽作用增大', '当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,\xa0[tex=0.571x0.786]G/buLKOLYVDEKMZ76t752w==[/tex]值也愈大'], 'type': 102}
内容
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关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（ ） A: 屏蔽选定电子的其他电子数目越多，σ值越大 B: 被屏蔽的电子离核越远，σ值越大 C: 当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低 D: 某电子的屏蔽常数σ反映了该电子被屏蔽原子核作用的大小
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关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（） A: 屏蔽电子的数目越多，σ值越大 B: 被屏蔽电子离核越远，σ值越大 C: 某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小 D: 当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低
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钻穿效应和屏蔽效应对于电子能量的影响为() A: 钻穿效应使得电子能量升高 B: 屏蔽作用使电子能量降低 C: 对于某一电子，钻穿效应越大，则该电子受到其他电子的屏蔽作用越小。 D: 当n相同、l不同时，l取值越小，其钻穿能力越弱。
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钾原子4s电子的屏蔽系数= ；有效核电荷数＝ 。
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以下对主量子数n的说法正确的是： A: n愈大，说明电子距核愈近，原子能级愈高 B: n愈大，说明电子距核愈远，原子能级愈低 C: n愈大，说明电子距核愈近，原子能级愈低 D: n愈大，说明电子距核愈远，原子能级愈高