• 2022-07-25
    下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是( )
    A: 4s电子的屏蔽常数反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小;
    B: 当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,其电子能量值愈高;
    C: 主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大;
    D: 当n和Z相同时,某电子的屏蔽效应数值σ愈大,该电子的能量就愈低。
  • B

    举一反三

    内容

    • 0

      下列关于屏蔽效应的说法中,正确的是 未知类型:{'options': ['[tex=1.0x1.0]UMNZq9PeLASPAl4nG6IBrA==[/tex]电子的屏蔽常数[tex=1.286x1.0]GInOjfAiB6l3Tmlitr5E0A==[/tex]反映了[tex=1.0x1.0]KPsXl6uRbeeg5mTuJVjjNw==[/tex]电子屏蔽原子核作用的大小', '当主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]和核电荷数[tex=0.5x0.786]C7x+w8+jOPZzxFrGGne6Dw==[/tex]相同的二个电子,[tex=0.571x0.786]KMF8QHqVjNLkn7nK5uaSag==[/tex]值越大,电子的能量就越低', '主量子数[tex=0.643x0.786]/he/ol8BkDuTTL9yMPtH4Q==[/tex]相同,角量子数[tex=0.357x1.0]Le5Jr6QhXJv1Yp4NjrbGVA==[/tex]愈大,电子的屏蔽作用增大', '当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,\xa0[tex=0.571x0.786]G/buLKOLYVDEKMZ76t752w==[/tex]值也愈大'], 'type': 102}

    • 1

      关于屏蔽常数σ,下列说法错误的是() A: 屏蔽电子的数目越多,σ值越大 B: 被屏蔽电子离核越远,σ值越大 C: 某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小 D: 当n和z相同时,某电子的σ值越大,该电子的能量越低

    • 2

      钻穿效应和屏蔽效应对于电子能量的影响为() A: 钻穿效应使得电子能量升高 B: 屏蔽作用使电子能量降低 C: 对于某一电子,钻穿效应越大,则该电子受到其他电子的屏蔽作用越小。 D: 当n相同、l不同时,l取值越小,其钻穿能力越弱。

    • 3

      下列关于屏蔽效应的说法中错误的是 A: 在多电子原子中存在着屏蔽效应 B: 外层电子对内层电子的屏蔽作用大 C: 同层电子的屏蔽作用较小 D: 内层电子对外层电子的屏蔽作用大

    • 4

      屏蔽效应使被屏蔽电子的能量升高。