使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是____。
A: u GS大于U GS(th)
B: u GS小于U GS(th)
C: u GS大于U GS(off)
D: u GS小于U GS(0ff)
A: u GS大于U GS(th)
B: u GS小于U GS(th)
C: u GS大于U GS(off)
D: u GS小于U GS(0ff)
举一反三
- N()沟道增强型场效应管工作在恒流区时的漏源电压()u()DS()()。A.()大于零B.()大于()u()(()GS())()thC.()小于()u()(()GS())()thD.()大于()u()(()GS())()-u()(()GS())()th
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]
- 若增强型N沟道MOS管的 U GS等于零，则其一定处于夹断区。（ ）
- 【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于