使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是____。
A: u GS大于U GS(th)
B: u GS小于U GS(th)
C: u GS大于U GS(off)
D: u GS小于U GS(0ff)
A: u GS大于U GS(th)
B: u GS小于U GS(th)
C: u GS大于U GS(off)
D: u GS小于U GS(0ff)
D
举一反三
- N()沟道增强型场效应管工作在恒流区时的漏源电压()u()DS()()。A.()大于零B.()大于()u()(()GS())()thC.()小于()u()(()GS())()thD.()大于()u()(()GS())()-u()(()GS())()th
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]
- 若增强型N沟道MOS管的 U GS等于零，则其一定处于夹断区。（ ）
- 【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
内容
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使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
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TC4,TAS300,WD330,WS40,DA=( ),TH应=( ),GS=( )
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在土的三相比例指标中,直接通过试验测定的有()。 A: Gs、Sr 、ω B: Gs、ρ 、ω C: e、n、S D: Gs、ρ、e
- 3
在土的三相比例指标中，直接通过试验测定的是（ ）。 A: Gs，ω，e B: Gs，ω，ρ C: Gs，ρ，e D: γ，ω，e
- 4
霍乱毒素干扰细胞内信号转导过程的关键环节是（） A: 促进Gs与受体结合 B: 剌激Gs生成 C: 使Gsα处于不可逆激活状态 D: 使Gsα处于不可逆失活状态 E: cAMP生成增加