若增强型N沟道MOS管的 U GS等于零，则其一定处于夹断区。（ ）
举一反三
- 【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是____。 A: u GS大于U GS(th) B: u GS小于U GS(th) C: u GS大于U GS(off) D: u GS小于U GS(0ff)
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 【单选题】某 MOS 场效应管的转移特性如图 所示,则该 MOS 管为()。 A. 增强型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 C. 增强型 P 沟道 MOS 管 D. 耗尽型 P 沟道 MOS 管
- N沟道增强型MOS管的开启电压() A: 大于零 B: 等于零 C: 小于零 D: 小于零或等于零