关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-27 NMOS晶体管是()型硅衬底上的n+源漏区,工作时在栅极下方的硅衬底的表面上形成n型导电沟道。PMOS晶体管是()型硅衬底上的p+源漏区,工作时在硅衬底上的表面形成p型导电沟道。 NMOS晶体管是()型硅衬底上的n+源漏区,工作时在栅极下方的硅衬底的表面上形成n型导电沟道。PMOS晶体管是()型硅衬底上的p+源漏区,工作时在硅衬底上的表面形成p型导电沟道。 答案： 查看 举一反三 PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。 智慧职教: nmos的沟道为（ ）型，衬底为（ ）型硅，漏区和源区为（ ）型。 NMOS晶体管是由埋在______ 衬底中的n型漏区和源区构成，电流是由通过源和漏之间n型沟道的______ 形成。 与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底 PMOS管的源漏区和衬底都是P型的
