与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。
A: 本征硅衬底
B: 重掺杂硅衬底
C: 轻掺杂p型硅衬底
D: 轻掺杂n型硅衬底
A: 本征硅衬底
B: 重掺杂硅衬底
C: 轻掺杂p型硅衬底
D: 轻掺杂n型硅衬底
举一反三
- PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
- NMOS晶体管是()型硅衬底上的n+源漏区,工作时在栅极下方的硅衬底的表面上形成n型导电沟道。PMOS晶体管是()型硅衬底上的p+源漏区,工作时在硅衬底上的表面形成p型导电沟道。
- 热氧化方法和淀积方法的区别是 A: 热氧化方法硅衬底参与反应。 B: 淀积方法硅衬底参与反应。 C: 热氧化方法硅衬底不参与反应。 D: 淀积方法硅衬底不参与反应。
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构