以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。
A: 在较大负电压时，C为常数值Cox
B: 当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容
C: 当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值
D: 当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
A: 在较大负电压时，C为常数值Cox
B: 当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容
C: 当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值
D: 当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
举一反三
- 以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（ ）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值 D: 当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
- 高频时的MIS电容值与低频时的MOS电容值在( )时明显不同.zz A: 反型 B: 耗尽 C: 堆积 D: 平带
- 若不考虑价格因素，则2003年~2011年九年，江苏金融业增加值年均增速VL、第三产业增加值年均增速VS，地区国内生产总值年均增速VG的大小关系是（）。 A: VS＞VL＞VG B: VL＞VG＞VS C: VL＞VS＞VG D: VS＞VG＞VL
- 固体催化剂的平均孔半径r与比孔容Vg、比表面积S之间的关系为（）。 A: r＝2Vg/S B: r=Vg/S C: Vg＝r/S D: Vg＝S/r
- 船舶对水航速VL,对地航速VG,船速VE,如果VG