关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-27 金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体 A: 势垒区宽度远小于电子的平均自由程 B: 势垒区宽度远大于电子的平均自由程 C: 势垒区宽度等于电子的平均自由程 D: 不确定 金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体A: 势垒区宽度远小于电子的平均自由程B: 势垒区宽度远大于电子的平均自由程C: 势垒区宽度等于电子的平均自由程D: 不确定 答案： 查看 举一反三 另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情况。 A: 远大于 B: 远小于 金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分析,其中()主要适用于势垒宽度远大于电子平均自由程的情况。 A: 扩散理论 B: 热电子发射理论 中国大学MOOC: 势垒区宽度越大，势垒电容越小 中国大学MOOC: 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，空间电荷区宽度将（ ） pn结外加正向偏压时,以下关于势垒区的说法正确的有() A: 势垒区宽度变窄; B: 势垒区宽度变宽; C: 势垒高度变小; D: 势垒高度增大;
