另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情况。
A: 远大于
B: 远小于
A: 远大于
B: 远小于
举一反三
- 金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分析,其中()主要适用于势垒宽度远大于电子平均自由程的情况。 A: 扩散理论 B: 热电子发射理论
- 金属与N型半导体形成的整流接触，热电子发射理论适用于（ ）半导体 A: 势垒区宽度远小于电子的平均自由程 B: 势垒区宽度远大于电子的平均自由程 C: 势垒区宽度等于电子的平均自由程 D: 不确定
- 硅、锗、砷化镓材料的肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多数载流子的热电子发射。
- 当获得能量使其自由程大于SiO2厚度时，热电子可以克服Si-SiO2势垒注入栅介质。（ ） A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 当获得能量使其自由程大于SiO2厚度时，热电子可以克服Si-SiO2势垒注入栅介质。（ ）