以下哪种器件不属于绝缘栅场效应管（ ）
A: PMOS耗尽型
B: NMOS耗尽型
C: NMOS增强型
D: PNP
A: PMOS耗尽型
B: NMOS耗尽型
C: NMOS增强型
D: PNP
举一反三
- CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的 A: 增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管 B: 增强型NMOS管和耗尽型PMOS管 C: 增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管 D: 增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
- 绝缘栅场效晶体管可分为NMOS增强型、NMOS耗尽型、PMOS增强型、PMOS耗尽型等四种。
- 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 A: 增强型PMOS B: 增强型NMOS C: 耗尽型PMOS D: 耗尽型NMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示。则该管是 场效应管。 [img=154x151]1802d1f454d8351.jpg[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 下列场效应管中,无原始导电沟道的是( )。 A: P沟道JFET B: 增强型NMOS管 C: 耗尽型NMOS管 D: 耗尽型PMOS管