某场效应管的转移特性如图所示。则该管是 场效应管。 [img=154x151]1802d1f454d8351.jpg[/img]
A: 增强型NMOS
B: 增强型PMOS
C: 耗尽型NMOS
D: 耗尽型PMOS
A: 增强型NMOS
B: 增强型PMOS
C: 耗尽型NMOS
D: 耗尽型PMOS
C
举一反三
- 某场效应管的转移特性如图3.3.1所示,则该管是()场效应管[img=358x273]17b0c8509359bb2.png[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]17de92640a9c172.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04cb3f602.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04696731b.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是[img=94x80]17e441441880b11.png[/img] A: 增强型PMOS B: 增强型NMOS C: 耗尽型PMOS D: 耗尽型NMOS
内容
- 0
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 A: 增强型PMOS B: 增强型NMOS C: 耗尽型PMOS D: 耗尽型NMOS
- 1
某场效应管的[img=79x24]1803a5adb55b984.png[/img]，[img=75x25]1803a5adbe0b8c6.png[/img]，[img=16x23]1803a5adc671113.png[/img]的方向是从漏极流出，则该管为 。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: 增强型NMOS
- 2
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管
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CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的 A: 增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管 B: 增强型NMOS管和耗尽型PMOS管 C: 增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管 D: 增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
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【多选题】VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A. N-JFET B. P-JFET C. 增强型NMOS管 D. 增强型PMOS管 E. 耗尽型NMOS管 F. 耗尽型PMOS管