晶体管的反向击穿电压参数中，哪个是最小的。
A: U(BR)EBO
B: U(BR)CBO
C: U(BR)CEO
A: U(BR)EBO
B: U(BR)CBO
C: U(BR)CEO
举一反三
- 晶体管的反向击穿电压参数中，哪个是最大的。 A: U(BR)EBO B: U(BR)CBO C: U(BR)CEO
- 表明晶体管质量优劣的主要参数是（）。 A: β、I<sub>CBO</sub>（I<sub>CEO</sub>） B: I<sub>CM</sub>、P<sub>CM</sub> C: U<sub>（BR）CEO</sub>，I<sub>CM</sub> D: U<sub>（BR）CEO</sub>，P<sub>CM</sub>
- U（RM）表示最高反向工作电压，大小为为 U(BR) / 2
- 在功率放大电路中，功放管承受的最大管压降接近 C-E 间反向击穿电压U(BR)CEO。
- 一个晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则下列( )是正常 工作状态