FET的输出特性曲线如下图所示,则该场效应管的夹断电压分VGS（off）和饱和漏极电流IDSS分别为()。[img=252x210]17e0ad3c4138419.png[/img]
A: -3.5V，2mA；
B: -3.5V，4mA；
C: -2V，2mA；
D: -2.5V，1mA；
A: -3.5V，2mA；
B: -3.5V，4mA；
C: -2V，2mA；
D: -2.5V，1mA；
举一反三
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的Kn＝1mA/V2，l = 0。则场效应管的gm为 _______，电路的小信号电压增益为 _______ 。[img=213x214]1802d7cca4da94e.jpg[/img] A: 2 mA/V，-18 B: 2 mA/V，-9 C: 1 mA/V，-18 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-9
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝7.9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。T的Kn＝1mA/V2，l = 0且MOS管有合适的静态工作点。则T的gm为（ ），电路的小信号电压增益为 （ ）。[img=436x425]1802df77befd5be.png[/img] A: 2 mA/V，-15.8 B: 2 mA/V，-7.9 C: 1 mA/V，-15.8 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-7.9
- 智慧职教: 四个场效应管的输出特性如图所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的场效应管？若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。（a）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) =（ ）V、IDSS =（ ）mA；（b）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) = （ ）V、IDSS = （ ）mA；（c）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V；（d）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V。
- 请分别填写:(1)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)*除不尽则填写化简后的分数。(2)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)(3)u2=_____(V),i2=_______(mA),i3=_______(mA)
- 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1[img=46x18]1802ebb4ab623f7.jpg[/img]，l = 0。则场效应管的gm » _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。[img=224x227]1802ebb4b67ecf5.jpg[/img] A: 1.42 mA/V，12.78 B: 3.02 mA/V，-27.2 C: 1.42 mA/V，-12.78 D: 3.02 mA/V，-12.78