一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（ ）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab11ab9e3f.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

​一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]180304ce2712286.bmp[/img]‍ A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。[img=256x201]18031ab413270f8.bmp[/img] A: N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA B: P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA C: 耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA D: 耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

有下列条件（）就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。 A: VDS和VGS B: VDS和ID C: VP和IDSS D: VT和IDSS

The value of drain current is always （ ） the value of the short circuit drain current IDSS for a given JFET.

结合专家系统的IDSS，知识库中的知识是用（）表示的。

智能决策支持系统的简称是（ ）。 A: GDSS B: IDSS C: ZDSS D: EDSS

IDSS主要企图解DSS所不能解决的什么问题?其解决的思路是什么?

人工智能技术与DSS相结合形成下列哪一系统（） A: IDSS B: GDSS C: CDSS D: DDSS