晶体管的h参数等效模型没有考虑结电容的作用，适用于分析 的情况。（ ）
A: 低频
B: 高频
C: 高频和低频均可
A: 低频
B: 高频
C: 高频和低频均可
举一反三
- 中国大学MOOC: 晶体管的h参数等效模型没有考虑结电容的作用，适用于分析（ ）的情况。
- 由于没有考虑结电容的作用，晶体管微变等效模型只适用于频率较低的信号，也称作晶体管的低频小信号模型。
- H参数微变等效电路适用于分析（ ）。 A: 低频及中频区 B: 中频及高频区 C: 低频及高频区 D: 低频、中频及高频区
- h参数等效模型适用于： A: 低频小信号情况下的电路分析 B: 低频大信号情况下的电路分析 C: 高频小信号情况下的电路分析 D: 高频大信号情况下的电路分析 E: 静态工作点的分析 F: 非线性失真的分析
- 晶体管的混合π等效模型和H参数等效模型之间的关系为( )。 A: 二者在任何情况下都能等效 B: 二者在任何情况下都不能等效 C: 二者在高频时可以等效 D: 二者在中低频时可以等效