在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（）
A: 积累，无
B: 耗尽，无
C: 反型，有
D: 积累，有
A: 积累，无
B: 耗尽，无
C: 反型，有
D: 积累，有
举一反三
- 中国大学MOOC: 在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态， 导电沟道。（）
- n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用半导体表面通常为___状态，开启电压为___。（ ） A: 积累，正值 B: 耗尽，正值 C: 积累，负值 D: 耗尽，负值
- 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态；对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（）。 A: 上，积累，下，耗尽或反型 B: 上，耗尽或反型，上，积累 C: 上，积累，上，耗尽或反型 D: 下，积累，下，耗尽或反型
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。