增强型NMOS管的截止条件为__( )____。
A: UGS > UT
B: UGS < UT
C: UDS = VDD
D: UDS < VDD
A: UGS > UT
B: UGS < UT
C: UDS = VDD
D: UDS < VDD
举一反三
- P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT
- 为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区，应满足 。 A: uGS＞0，uDS＜0 B: uGS＞0，uDS＞0 C: uGS＜0，uDS＞0 D: uGS＜0，uDS＜0
- 耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。 A: UGS＞UT B: UGS＜UT C: UGS=0 D: UGS＜UP
- 为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS<;0，UDS>;0 B: UGS>;0，UDS>;0 C: UGS<;0，UDS<;0 D: UGS>;0，UDS<;0
- 对于增强型NMOS场效应管来说，只有当UGS＞______ ，UDS＞______ 时，才会产生漏极电流ID