在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成
A: 吸附共沉淀
B: 混晶共沉淀
C: 包藏共沉淀
D: 后沉淀
A: 吸附共沉淀
B: 混晶共沉淀
C: 包藏共沉淀
D: 后沉淀
举一反三
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）?xml:namespace A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀
- 7.2-1在沉淀过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）