7、光生电子和空穴在内电场作用下分别向N区和P区移动。
举一反三
- 7、光生电子和空穴在内电场作用下分别向N区和P区移动。 A: 正确 B: 错误
- 电子空穴对被内建电场分离，光生电子在p区边界积累，光生空穴在n区边界积累。
- 当PN结及附近被光照射时，若光子能量大于材料禁带宽度时会产生电子-空穴对，在内电场作用下，电子-空穴分别漂移到（ ）和（ ），使P端电势（ ），N端电势（ ）。 A: P区 N区 升高 降低 B: N区 P区 升高 降低 C: N区 P区 降低 升高 D: P区 N区 降低 升高
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。 A: P区； B: N区； C: 结区； D: 中间区。