当PN结及附近被光照射时，若光子能量大于材料禁带宽度时会产生电子-空穴对，在内电场作用下，电子-空穴分别漂移到（ ）和（ ），使P端电势（ ），N端电势（ ）。
A: P区 N区 升高 降低
B: N区 P区 升高 降低
C: N区 P区 降低 升高
D: P区 N区 降低 升高
A: P区 N区 升高 降低
B: N区 P区 升高 降低
C: N区 P区 降低 升高
D: P区 N区 降低 升高
B
举一反三
- 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（） A: P区；N区；升高；降低 B: N区；P区；升高；降低 C: N区；P区；降低；升高 D: P区；N区；降低；升高
- 光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负 A: P区 B: N区 C: 中间区 D: 结区
- 当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。 A: P区； B: N区； C: 结区； D: 中间区。
- 平衡PN结形成的过程中，P区 向N区扩散，电子是在自建电场作用下向 区漂移 A: 空穴，P B: 空穴，N C: 电子，P D: 电子，N
- 平衡PN结形成过程中 A: N区的电势比P区高 B: N区的电势能比P区高 C: N区的空穴向P区扩散 D: N区的电子向P区漂移
内容
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当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N（ ）区的（ ）和由（ ）区注入到（ ）区的（ ），产生自发辐射的荧光。 A: 电子；N；P；空穴 B: 电子；P；N；空穴 C: 空穴；P；N；电子 D: 空穴；N；P；电子
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平衡PN结形成的过程中（） A: P区电子向N区扩散，N区空穴向P区扩散 B: 会形成从P区指向N区的自建电场 C: 电子是在自建电场作用下向N区漂移 D: 平衡PN结空间电荷区的形成时载流子扩散与漂移运动都消失了
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半导体P-N结的扩散，正确的描述是：（ ） A: N区的电子向P区扩散 B: N区的空穴向P区扩散 C: P区的电子向N区扩散 D: P区的空穴向N区扩散
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在足够能量的太阳光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动。(<br/>)
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当p型半导体和n型半导体结合形成pn结时,由于两者之间存在载流子浓度梯度,从而导致了空穴从p区到n区、电子从n区到p区的漂移运动。