关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ）
A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；
D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；
C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；
D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
A
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举一反三
- 掺入杂质的本征半导体,按所掺杂性质的不同可分为半导体和半导体。其中多子为空穴,少子为电子的半导体为半导体,多子为电子,少子为空穴的为半导体为半导体。P型半导体和N型半导体对外是不带电的,即呈性。
- 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（） A: P型半导体，其少子为自由电子 B: N型半导体，其多子为自由电子 C: P型半导体，其少子为空穴 D: N型半导体，其多子为空穴
- 2、以下半于杂质半导体，说法不正确的是 A: N型半导体中多子是电子，少子是空穴 B: P型半导体可以掺磷（P）得到 C: P型半导体主要靠空穴导电 D: 向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
- 在本征半导体中掺入三价元素后形成以空穴为多数载流子的杂质半导体称为 A: N型半导体 B: P型半导体 C: 本征半导体 D: 杂质半导体
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
内容
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以下哪种情况下，半导体为N型的？? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。
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以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
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多子是电子,少子是空穴的杂质半导体就是N型半导体。
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本征锗中掺入III价元素杂质，为（ ）型半导体。 A: 空穴 B: 施主 C: 电子 D: n型
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本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质，为（ ）型半导体。 A: 空穴 B: 电子 C: 受主 D: p型