P型半导体中空穴是 ，电子是 。 A: 多子；多子 B: 少子；多子 C: 少子；少子 D: 多子；少子
P型半导体中空穴是 ，电子是 。 A: 多子；多子 B: 少子；多子 C: 少子；少子 D: 多子；少子
三极管和场效应管中参与导电的载流子的类型分别是( )。 A: 多子、多子 B: 多子和少子、少子 C: 少子、少子 D: 多子和少子、多子
三极管和场效应管中参与导电的载流子的类型分别是( )。 A: 多子、多子 B: 多子和少子、少子 C: 少子、少子 D: 多子和少子、多子
肖特基二极管是一种（）器件。 A: 少子 B: 多子 C: 过剩少子 D: 多子+少子
肖特基二极管是一种（）器件。 A: 少子 B: 多子 C: 过剩少子 D: 多子+少子
简述硅块少子寿命硅块体少子寿命与硅块体少子寿命的区别？
简述硅块少子寿命硅块体少子寿命与硅块体少子寿命的区别？
三极管中参与导电的是( ) A: 多子 B: 少子 C: 多子和部分少子 D: 多子和少子
三极管中参与导电的是( ) A: 多子 B: 少子 C: 多子和部分少子 D: 多子和少子
不能从海恩斯-肖克莱实验中推断出 A: 多子迁移率 B: 少子寿命 C: 少子迁移率 D: 少子扩散系数
不能从海恩斯-肖克莱实验中推断出 A: 多子迁移率 B: 少子寿命 C: 少子迁移率 D: 少子扩散系数
1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关
与PN结电容有关的因素有: A: 非平衡少子 B: 空间电荷 C: 平衡少子
与PN结电容有关的因素有: A: 非平衡少子 B: 空间电荷 C: 平衡少子
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？? 本征状态|少子耗尽|少子积累|少子反型
理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？? 本征状态|少子耗尽|少子积累|少子反型
N型半导体中多子为(),少子为();P型半导体中多子为(),少子为()。
N型半导体中多子为(),少子为();P型半导体中多子为(),少子为()。