一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压vGS称为 电压VT。
开启
举一反三
内容
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N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
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N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
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中国大学MOOC:"当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。";
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中国大学MOOC: MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。
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MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。 A: 正确 B: 错误