4．耗尽型N沟道FET的导电载流子是 ，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压UGS 叫做 。
举一反三
- 一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压vGS称为 电压VT。
- 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。 和 da018854a898b6286384713faa067d72.png6bc9f2c5497ffbe8a3e7db8f2cfa1082.png
- 当栅源电压等于零时，增强型FET 导电沟道，结型FET的沟道电阻
- N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间只能加正向电压,才能建立起导电沟道,产生漏极电流。