电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
对
举一反三
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为正，器件可以导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），从转移特性中可以看出，栅源极间电压需要大于门槛电压，器件才能可靠导通。
- N沟道增强型绝缘栅场效应管中,栅源间加正向电压大于开启电压时,建立起导电沟道,产生漏极电流。
内容
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N沟道结型场效应管中,栅源间电压为夹断电压时,漏极电流为零。
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以N沟道增强型MOSFET为例，当漏源电压不变时，即使栅电压增加，漏极电流也不增加。
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N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间只能加正向电压,才能建立起导电沟道,产生漏极电流。
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N沟道结型场效应管中,栅源间电压为零时,沟道最宽,漏极电流最大。
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N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。