电力MOSFET导通表述正确的是：
A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时 。 A: 不能形成导电沟道 B: 能够形成导电沟道 C: 漏极电流不为零 D: 漏极电压为零
- N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- 增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（）。 A: 能够形成导电沟道 B: 不能形成导电沟道 C: 漏极电流不为零