晶体管fβ参数的定义为（）。
A: 当β下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f
B: 当β的模值下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f
C: 当频率升高时，β值下降。当β的模值下降到低频电流放大器系数的时，此时的频率为f
D: 当β的模值下降到低频电流放大系数的1/10时，此时的频率为f
A: 当β下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f
B: 当β的模值下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f
C: 当频率升高时，β值下降。当β的模值下降到低频电流放大器系数的时，此时的频率为f
D: 当β的模值下降到低频电流放大系数的1/10时，此时的频率为f
举一反三
- 晶体管参数fβ的定义为() A: 当β下降到低频电流放大系数的0.5倍时对应的频率 B: 当β的模值下降到低频电流放大系数的0.3倍时对应的频率 C: 当β的模值下降到低频电流放大器系数的0.7倍时对应的频率 D: 当β的模值下降到低频电流放大系数的0.1倍时对应的频率
- 晶体管参数fT是指（）。 A: 共射放大器，没有电流放大倍数时，对应的频率称为f B: 当晶体管失去电流放大能力时的频率称为f C: 当频率升高时，当β的模值下降到1时的频率称为f D: 当频率升高时，当β的模值下降到时的频率称为f
- 下列有关晶体管截止频率的说法正确的是（ ）。 A: 截止频率为电流放大系数下降了低频值的[img=25x47]180315a6cc02598.png[/img]后的频率 B: 截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]180315a6d49fb47.png[/img]时的频率 C: 截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]180315a6cc02598.png[/img]时的频率 D: 截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率
- 下列有关晶体管截止频率的说法正确的是（ ）。 未知类型：{'options': ['截止频率为电流放大系数下降了低频值的[img=25x47]18036f7ec2e7b38.png[/img]后的频率', '截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]18036f7ecccdc7c.png[/img]时的频率', '截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]18036f7ec2e7b38.png[/img]时的频率', '截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率'], 'type': 102}
- 晶体管的特征频率是指当工作频率增高，使|β|下降至（）时的频率。 A: 低频电流放大系数的倍时 B: 低频电流放大系数的1/2倍时 C: 1 D: 0