晶体管的特征频率是指当工作频率增高，使|β|下降至（）时的频率。
A: 低频电流放大系数的倍时
B: 低频电流放大系数的1/2倍时
C: 1
D: 0
A: 低频电流放大系数的倍时
B: 低频电流放大系数的1/2倍时
C: 1
D: 0
举一反三
- 晶体管fβ参数的定义为（）。 A: 当β下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f B: 当β的模值下降到低频电流放大系数的时，此时的频率为f C: 当频率升高时，β值下降。当β的模值下降到低频电流放大器系数的时，此时的频率为f D: 当β的模值下降到低频电流放大系数的1/10时，此时的频率为f
- 晶体管参数fβ的定义为() A: 当β下降到低频电流放大系数的0.5倍时对应的频率 B: 当β的模值下降到低频电流放大系数的0.3倍时对应的频率 C: 当β的模值下降到低频电流放大器系数的0.7倍时对应的频率 D: 当β的模值下降到低频电流放大系数的0.1倍时对应的频率
- 共发射极截止频率为电流放大系数因频率增高而下降至低频放大系数的（）时的频率。 A: 1.414 B: 0.707 C: 0.6 D: 0.5
- 晶体管的电流放大系数b是频率的函数，特征频率fT是指b下降为多少时的频率 A: 低频区的0.707 B: 低频区的0.58 C: 低频区的1/2 D: 1
- 下列有关晶体管截止频率的说法正确的是（ ）。 A: 截止频率为电流放大系数下降了低频值的[img=25x47]180315a6cc02598.png[/img]后的频率 B: 截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]180315a6d49fb47.png[/img]时的频率 C: 截止频率为电流放大系数下降到低频值的[img=25x47]180315a6cc02598.png[/img]时的频率 D: 截止频率为电流放大系数下降到3dB时的频率