根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）
A: NPN型低频小功率硅晶体管
B: NPN型高频小功率硅晶体管
C: PNP型低频小功率锗晶体管
D: NPN型低频大功率硅晶体管
A: NPN型低频小功率硅晶体管
B: NPN型高频小功率硅晶体管
C: PNP型低频小功率锗晶体管
D: NPN型低频大功率硅晶体管
举一反三
- 三极管3DG130C是（）。 A: 高频小功率PNP型锗管 B: 高频大功率NPN型锗管 C: 低频小功率PNP型硅管 D: 高频小功率NPN型硅管
- 3DG6型晶体管是（）。 A: 高频小功率硅NPN型三极管 B: 高频大功率锗NPN型三极管 C: 高频小功率锗PNP型三极管 D: 低频大功率锗NPN型三极管
- 一只三极管型号为3DG130C，它表示（）。 A: PNP型硅材料高频小功率三极管 B: NPN型硅材料高频小功率三极管 C: PNP型硅材料低频小功率三极管 D: NPN型硅材料低频小功率三极管
- 如图所示的晶体管，为（）晶体管。 A: 锗管 B: NPN型 C: PNP型 D: 硅管
- 3DG4C表示（） A: NPN型硅材料高频小功率三极管； B: PNP型硅材料高频小功率三极管； C: NPN型锗材料高频大功率三极管； D: PNP型锗材料低频小功率三极管