硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。 A: 共价键 B: 金属键 C: 离子键 D: 氢键
锗晶体和硅晶体外围有四个电子，可形成（）。 A: 共价键 B: 金属键 C: 离子键 D: 氢键
半导体硅、锗具有金刚石型的晶格结构，根据各自晶格常数计算( ) A: 硅晶体原子体密度是5×10^22个/cm^3 B: 锗晶体原子体密度是5×10^22个/cm^3 C: 硅晶体原子体密度是4.22×10^22个/cm^3 D: 锗晶体原子体密度是4.22×10^22个/cm^3
半导体硅、锗具有金刚石型的晶格结构，根据各自晶格常数计算( ) A: 硅晶体原子体密度是5×10^22个/cm^3 B: 锗晶体原子体密度是5×10^22个/cm^3 C: 硅晶体原子体密度是4.22×10^22个/cm^3 D: 锗晶体原子体密度是4.22×10^22个/cm^3
一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压
一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压
在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体
在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体
N型在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的5价元素
N型在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的5价元素
P型半导体是在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的（）价元素。
P型半导体是在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的（）价元素。
N型半导体是在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的（ ）价元素。
N型半导体是在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的（ ）价元素。
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为____V和____V
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为____V和____V
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.3[br][/br]V和0.7V左右。
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.3[br][/br]V和0.7V左右。