场效应晶体管器件的开启电流难以通过缩短沟道长度持续增大。（ ）
举一反三
- 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。 A: 阈值电压增大 B: 器件的漏极电流增大 C: 器件的可靠性劣化 D: 器件的集成度增加
- 绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（） A: P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B: 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C: N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D: N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
- 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） A: 均为电压控制 B: 双极型晶体管为电压控制.场效应晶体管为电流控制 C: 均为电流控制 D: 双极型晶体管为电流控制.场效应品体管为电压控制
- 晶体管通过基极电流控制输出电流，所以其属于 控制器件，其输入电阻较小；而场效应晶体管只用信号源电压的电场效应来控制输出电流，所以其属于 控制器件，其输入电阻很高。
- 场效应晶体管是一种利用（）效应来实现电流控制的器件，也称为单极性晶体管。 A: 电流 B: 电阻 C: 电感 D: 电场