关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。 A: 阈值电压增大 B: 器件的漏极电流增大 C: 器件的可靠性劣化 D: 器件的集成度增加 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。A: 阈值电压增大B: 器件的漏极电流增大C: 器件的可靠性劣化D: 器件的集成度增加 答案： 查看 举一反三 长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响：（）。 A: 阈值电压增大 B: 跨导增大 C: 亚阈区特性恶化 D: 漏源击穿电压增加 场效应晶体管器件的开启电流难以通过缩短沟道长度持续增大。（ ） 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（） 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。
