与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( )

2022-07-27

答案：

比绝缘体的小

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下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
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半导体禁带宽度比绝缘体的禁带宽度要窄，所以半导体价带的电子容易通过本征激发跃迁到导带而参与导电。
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绝缘体与半导体材料能带结构的不同点在于： A: 绝对零度时，绝缘体的导带中没有电子，而半导体的导带中有少量的电子 B: 半导体的禁带宽度比绝缘体要大一些 C: 与绝缘体相比，半导体材料在室温下导带中的电子的浓度要大许多 D: 半导体的禁带宽度非常小
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半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A: 价带，导带 B: 价带，禁带 C: 禁带，导带 D: 导带，价带
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半导体禁带宽度比绝缘体的禁带宽度要窄，所以半导体价带的电子容易通过本征激发跃迁到导带而参与导电。 A: 正确 B: 错误