对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更低的能量。（ ）
举一反三
- 下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 半导体材料中的价带电子通过一定能量的激发可以从价带跃迁到导带。
- 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( )
- 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A: 价带，导带 B: 价带，禁带 C: 禁带，导带 D: 导带，价带
- 关于绝缘体、半导体及导体，说法正确的是 A: 绝缘体能带图上表现为大的禁带宽度，价带内能级被填满，导带空着 B: 半导体能带图上表现为禁带宽度较小，价带内的能级被填满，一部分电子能够从价带跃迁到导带，在价带留下空穴 C: 半导体导带或者被部分填充，或者与价带重叠 D: 绝对零度时，半导体价带被电子填满，导带被电子部分填满