一般地,共射三极管电路的上限截止频率受( )影响较大:
A: 输入耦合电容C1
B: 输出耦合电容C2
C: 发射极支路的旁路电容Ce
D: 基极与集电极之间的外接电容Cbc(1nF)
A: 输入耦合电容C1
B: 输出耦合电容C2
C: 发射极支路的旁路电容Ce
D: 基极与集电极之间的外接电容Cbc(1nF)
D
举一反三
- 基本共射极放大器的组成包括：直流电源、三极管、基极偏置电阻、集电极偏置电阻、输入耦合电容、输出耦合电容等。
- 91 . 基本共射极放大器的组成包括:直流电源、三极管、基极偏置电阻、集电极偏置电阻、输入耦合电容、输出耦合电容等。
- 放大电路的上限截止频率与（ ）电容相关。 A: 耦合 B: 旁路 C: 三极管极间 D: 导线分布
- 放大电路的上限截止频率与（ ）电容相关。 A: 耦合 B: 旁路 C: 三极管极间 D: 导线分布
- 三极管电路的下限截止频率大小与下列参数有关： A: 输入电容C1。C1值减小，下限截止频率值增大 B: 输入电容C1。C1值减小，下限截止频率值减小 C: 发射极旁路电容Ce。Ce值增大，下限截止频率值增大 D: 发射极旁路电容Ce。Ce值增大，下限截止频率值减小
内容
- 0
要提高RC耦合三极管放大电路的上限截止频率，可以选用的方式为（ ）。 A: 选择高频三极管 B: 减小耦合电容及旁路电容 C: 加大耦合电容及旁路电容 D: 尽量减小输入信号幅度
- 1
放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。 A: 耦合电容 B: 旁路电容 C: 耦合电容和旁路电容 D: 三极管极间
- 2
放大电路的低频段，影响频率的主要原因是______。 A: 级间耦合电容 B: 发射极旁路电容 C: 三极管级间电容
- 3
(8)影响放大电路低频特性的主要因素是() A: 耦合电容和射极旁路电容 B: 电极电容的数值 C: 负载电容的数值 D: BJT的结电容
- 4
阻容耦合单管共射放大电路的高频特性受以下((___))()元件的影响。 A: 耦合电容 B: 极间电容 C: 旁路电容 D: 输入电阻