以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。
未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
A,B,D,F
举一反三
- CCD电极下势阱的深浅由（）来决定。三相CCD每个光敏元对应有（）个MOS结构单元或者转移电极。
- CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
- CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
- CCD电荷耦合器件的基本组成单元是（），CCD输出脉冲的顺序反映了（），脉冲幅度的高低反映了该光敏元受光的强弱。CCD之所以能存储电荷是因为在栅极上加电压后能形成针对少数载流子的（），且势阱里的电荷有由（）向（）转移的特点。
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量
内容
- 0
CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- 1
CCD电荷转移利用_______的原理，将电荷包有规律地传输出去。通过控制相邻MOS电容器栅压来调节势阱的深浅，使信号电荷由势阱浅的位置流向势阱深的位置。
- 2
关于CCD探测器的说法错误的是( ) A: CCD芯片不能正对荧光,要放在荧光介质侧边 B: CCD 是由金属氧化物(绝缘体)和半导体( MOS)电容阵列组成 C: 采用光学缩微技术 D: CCD探测器中存储电荷的是势阱 E: CCD探测器将入射X线信号转换为电信号
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CCD图像传感器中电荷在势阱内从相邻()
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CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与()成正比。 A: 栅极电压VG; B: 外来光的强度及照射时间; C: 驱动时钟脉冲频率; D: 电荷包的转移驱动方法。