以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。
未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
举一反三
- CCD电极下势阱的深浅由（）来决定。三相CCD每个光敏元对应有（）个MOS结构单元或者转移电极。
- CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
- CCD电荷信号的搬移是（ ）。 A: 从势阱深的地方向势阱浅的地方 B: 从势阱浅的地方向势阱深的地方 C: 从电压高的地方向电压低的地方 D: 从电压低的地方向电压高的地方
- CCD电荷耦合器件的基本组成单元是（），CCD输出脉冲的顺序反映了（），脉冲幅度的高低反映了该光敏元受光的强弱。CCD之所以能存储电荷是因为在栅极上加电压后能形成针对少数载流子的（），且势阱里的电荷有由（）向（）转移的特点。
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量