CCD电极下势阱的深浅由（）来决定。三相CCD每个光敏元对应有（）个MOS结构单元或者转移电极。
举一反三
- 以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。 未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
- CCD是由多个电荷耦合单元组成的，其基本单元是MOS光敏元。
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- 单沟道线阵CCD由光敏阵列、转移栅、CCD模拟移位寄存器和输出放大器等单元构成。(<br/>)
- CCD电荷转移利用_______的原理，将电荷包有规律地传输出去。通过控制相邻MOS电容器栅压来调节势阱的深浅，使信号电荷由势阱浅的位置流向势阱深的位置。