金属材料的电阻来源于电子散射、声子散射和电子在杂质与缺陷上的散射。
举一反三
- 在理想晶体中，只有（）能散射电子。 A: 杂质 B: 声子 C: 电子 D: 缺陷
- 马基申定则指出，金属材料的电阻来源于两个部分，其中一个部分对应于声子散射与电子散射，此部分是与温度（）的金属基本电阻，另一部分来源于与化学缺陷和物理缺陷而与温度（）的残余电阻。
- 在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ） A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
- 根据发生散射前后电子的能量是否变化，电子散射又分为（ ）。 A: 相干散射和非相干散射 B: 相干散射和非弹性散射 C: 弹性散射和非弹性散射 D: 弹性散射和相干散射
- 在室温下，n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于（ ） A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 电子间散射