在半导体中，不影响载流子的迁移率的散射机制是（ ）
A: 晶格散射
B: 电离杂质散射
C: 声子散射
D: 固体散射
A: 晶格散射
B: 电离杂质散射
C: 声子散射
D: 固体散射
D
举一反三
内容
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下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
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在元素半导体中不起作用的散射是（ ）。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射
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电离杂质的散射是半导体中一种主要的散射机构,电离杂质的浓度Ni越大,载流子遭受散射的机会越多;温度越高,载流子遭受散射的机会越少。(<br/>)
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A: 变大，变小 B: 变小，变大 C: 变小，变小 D: 变大，变大
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影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射