2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。
A: 0.7, 0.2
B: 0.2, 0.7
C: 0.1, 0.5
D: 0.5, 0.9
A: 0.7, 0.2
B: 0.2, 0.7
C: 0.1, 0.5
D: 0.5, 0.9
B
举一反三
内容
- 0
硅二极管导通后，它的正向压降约为（）伏。 A: 0.2 B: 0.5 C: 0.6～0.7
- 1
硅二极管导通时的正向管压降约 ____v,锗二极管导通时的管压降约 ____v
- 2
二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 3
在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。
- 4
硅二极管导通时的正向管压降约V（） A: 0.7 B: 0.8 C: 0.9 D: 0.6