以下各项与理想MOS平带电容无关的是（）。
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 氧化层厚度
D: 非本征德拜长度
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 氧化层厚度
D: 非本征德拜长度
举一反三
- 以下各项与理想MOS平带电容无关的是（）。 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 氧化层厚度 D: 非本征德拜长度
- 中国大学MOOC: 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。
- 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。 A: 大，大 B: 大，小 C: 小，大 D: 小，小
- 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越（）。 A: 大，大 B: 大，小 C: 小，大 D: 小，小
- 理想MOS结构半导体表面空间电荷区的平带电容可用极板间距为德拜长度LD的平板电容公式表示（）。