对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越（）。
A: 大，大
B: 大，小
C: 小，大
D: 小，小
A: 大，大
B: 大，小
C: 小，大
D: 小，小
举一反三
- 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越（）。 A: 大，大 B: 大，小 C: 小，大 D: 小，小
- 中国大学MOOC: 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。
- 硅中掺杂浓度越高,电阻率越(<br/>) A: 大 B: 小 C: 不确定
- 对于一定的河谷，拱中心角越（），拱圈厚度越（），对拱坝受力越有利。（） A: 大，小 B: 小，大 C: 大，大 D: 小，小
- 以下各项与理想MOS平带电容无关的是（）。 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 氧化层厚度 D: 非本征德拜长度