P沟道增强型MOS管的衬底接在系统
A: 最低电位
B: 最高电位
A: 最低电位
B: 最高电位
举一反三
- N沟道增强型MOS管的衬底为 A: P型 B: N型
- CMOS反相器基本电路包括() A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- N沟道增强型MOS管的衬底为 A: P型 B: N型 C: N或P型都可以
- 结型场效应管的类型有()。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 当MOS管的衬底引线单独引出时,应将其接到电路中的电位最低点(对N沟道MOS管而言)或电位最高点(对P沟道MOS管而言),以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置,使衬底与沟道及各电极隔离。