设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
A: 截止
B: 可变电阻
C: 放大
D: 击穿
A: 截止
B: 可变电阻
C: 放大
D: 击穿
A
举一反三
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（ ）状态。
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于 （ ）状态。 A: 截止 B: 导通 C: 可变电阻 D: 反向击穿
- 设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（ ） A: 截止区 B: 导通状态 C: 开关状态 D: 可变电阻区
- 当uGS增大到uGS(th)时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSuGS(th),uGD< uGS(th) ; C: uGSuGS(th) 。
内容
- 0
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS>uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。
- 1
N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 2
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
- 3
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 4
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于